NXH160T120L2Q2F2S1G 技术参数详情：
- 型号:NXH160T120L2Q2F2S1G
- 品牌:onsemi (ON,安森美)
- 封装:56-PIM/Q2PACK（93x47）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
- 描述:IGBT MOD 1200V 181A 500W 56-PIM
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:-
- 配置:三级反相器
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:181 A
- 功率 - 最大值:500 W
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，160A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:500 A
- 不同Vce 时输入电容 (Cies):38.8 nF @ 25 V
- 输入:标准
- NTC 热敏电阻:是
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:模块
- 供应商器件封装:56-PIM/Q2PACK（93x47）
- NXH160T120L2Q2F2S1G优势代理货源，国内专业的ON芯片采购服务平台。
