- 制造厂商:ON
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:LFPAK4(5x6)
- 技术参数:T6 60V SL LFPAK4 5X6
- NVMYS022N06CTWG现货渠道商,ON(ONsemi,安森美)代理优势货源
- 提供当日发货、严格的质量标准,满足您的目标价格
NVMYS022N06CTWG 技术参数详情:
- 型号:NVMYS022N06CTWG
- 品牌:onsemi (ON,安森美)
- 封装:LFPAK4(5x6)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:T6 60V SL LFPAK4 5X6
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A (Ta), 24A (Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):23.4mOhm @ 3A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 16A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):4.7 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):328 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):3.6W (Ta), 28.2W (Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:LFPAK4(5x6)
- 封装/外壳:SOT-1023,4-LFPAK
- NVMYS022N06CTWG优势代理货源,国内专业的ON芯片采购服务平台。