- 制造厂商：ON
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:8-DFNW（8.3x8.4）
- 技术参数：T6 40V SL EFK SINGLE NCH PQFN 8X
- NVMTS1D1N04CETXG现货渠道商，ON（ONsemi，安森美）代理优势货源
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NVMTS1D1N04CETXG 技术参数详情：
- 型号:NVMTS1D1N04CETXG
- 品牌:onsemi (ON,安森美)
- 封装:8-DFNW（8.3x8.4）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:T6 40V SL EFK SINGLE NCH PQFN 8X
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):48.8A（Ta），277A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.1 毫欧 @ 50A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 210A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:86 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5410 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:4.7W（Ta），153W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-DFNW（8.3x8.4）
- 封装/外壳:8-PowerTDFN
- NVMTS1D1N04CETXG优势代理货源，国内专业的ON芯片采购服务平台。
