NVMJD036N10MCLTWG 技术参数详情：
- 型号:NVMJD036N10MCLTWG
- 品牌:onsemi (ON,安森美)
- 封装:8-LFPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET - POWER, DUAL, N-CHANNEL,
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 个 P 沟道（双）
- FET 功能:-
- 漏源电压（Vdss）:100V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.3A（Ta），21A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:36 毫欧 @ 5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 26A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.4nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:496pF @ 50V
- 功率 - 最大值:3.2W（Ta），36W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:SOT-1205，8-LFPAK56
- 供应商器件封装:8-LFPAK
- NVMJD036N10MCLTWG优势代理货源，国内专业的ON芯片采购服务平台。
