- 制造厂商：ON
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT，封装:模具
- 技术参数：IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
- NGTD20T120F2WP现货渠道商，ON（ONsemi，安森美）代理优势货源
- 提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格
NGTD20T120F2WP 技术参数详情：
- 型号:NGTD20T120F2WP
- 品牌:onsemi (ON,安森美)
- 封装:模具
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:-
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，20A
- 功率 - 最大值:-
- 开关能量:-
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:-
- 25°C 时 Td（开/关）值:-
- 测试条件:-
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:模具
- 供应商器件封装:模具
- NGTD20T120F2WP优势代理货源，国内专业的ON芯片采购服务平台。
