- 制造厂商：ON
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-263-3，DPak（2 引线 + 接片），TO-263AB
- 技术参数：IGBT 430V 18A 115W D2PAK
- NGB8204NT4现货渠道商，ON（ONsemi，安森美）代理优势货源
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NGB8204NT4 技术参数详情：
- 制造商产品型号：NGB8204NT4
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 描述：IGBT 430V 18A 115W D2PAK
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：-
- 零件状态：停产
- IGBT类型：-
- 电压-集射极击穿（最大值）：430V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：18A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：50A
- 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2.5V @ 4V，15A
- 功率-最大值：115W
- 开关能量：-
- 输入类型：逻辑
- 栅极电荷：-
- 25°C时Td（开/关）值：-
- 测试条件：-
- 反向恢复时间(trr)：-
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：TO-263-3，DPak（2 引线 + 接片），TO-263AB
- NGB8204NT4优势代理货源，国内专业的ON芯片采购服务平台。
