- 制造厂商：ON
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT，封装:TO-263AB
- 技术参数：IGBT 415V 37.7A TO-263AB
- HGT1S20N36G3VLS现货渠道商，ON（ONsemi，安森美）代理优势货源
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HGT1S20N36G3VLS 技术参数详情：
- 型号:HGT1S20N36G3VLS
- 品牌:Fairchild Semiconductor (Fairchild,仙童或飞兆半导体,已被ONSEMI安森美收购)
- 封装:TO-263AB
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT 415V 37.7A TO-263AB
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:415 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:37.7 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):-
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.9V @ 5V，20A
- 功率 - 最大值:150 W
- 开关能量:-
- 输入类型:逻辑
- 栅极电荷:28.7 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:-/15s
- 测试条件:300V，10A，25欧姆，5V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 供应商器件封装:TO-263AB
- HGT1S20N36G3VLS优势代理货源，国内专业的ON芯片采购服务平台。
