- 制造厂商:ON
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块,封装:F2
- 技术参数:IGBT MODULE 650V 40A 156W F2
- FPF2G120BF07ASP现货渠道商,ON(ONsemi,安森美)代理优势货源
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FPF2G120BF07ASP 技术参数详情:
- 型号:FPF2G120BF07ASP
- 品牌:onsemi (ON,安森美)
- 封装:F2
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
- 描述:IGBT MODULE 650V 40A 156W F2
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:场截止
- 配置:3 个独立式
- 电压 - 集射极击穿(最大值):650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 A
- 功率 - 最大值:156 W
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,40A
- 电流 - 集电极截止(最大值):250 A
- 不同Vce 时输入电容 (Cies):-
- 输入:标准
- NTC 热敏电阻:是
- 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:模块
- 供应商器件封装:F2
- FPF2G120BF07ASP优势代理货源,国内专业的ON芯片采购服务平台。