FGH75T65SQDT_F155 技术参数详情：
- 制造商产品型号：FGH75T65SQDT_F155
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 描述：650V FS4 TRENCH IGBT
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- IGBT类型：沟槽型场截止
- 电压-集射极击穿（最大值）：650V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：150A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：300A
- 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，75A
- 功率-最大值：375W
- 开关能量：300J（开），70J（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：128nC
- 25°C时Td（开/关）值：23ns/120ns
- 测试条件：400V，18.8A，4.7 欧姆，15V
- 反向恢复时间(trr)：76ns
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：TO-247-3
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