- 制造厂商:ON
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT,封装:TO-3P
- 技术参数:IGBT NPT/TRENCH 1000V 50A TO-3P
- FGA50N100BNTD2现货渠道商,ON(ONsemi,安森美)代理优势货源
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FGA50N100BNTD2 技术参数详情:
- 型号:FGA50N100BNTD2
- 品牌:onsemi (ON,安森美)
- 封装:TO-3P
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT NPT/TRENCH 1000V 50A TO-3P
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:NPT 和沟道
- 电压 - 集射极击穿(最大值):1000 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,60A
- 功率 - 最大值:156 W
- 开关能量:-
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:257 nC
- 25°C 时 Td(开/关)值:34ns/243ns
- 测试条件:600V,60A,10 欧姆,15V
- 反向恢复时间 (trr):75 ns
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3
- 供应商器件封装:TO-3P
- FGA50N100BNTD2优势代理货源,国内专业的ON芯片采购服务平台。