- 制造厂商：ON
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:TO-252（DPAK）
- 技术参数：N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 100
- FDD86080-F085现货渠道商，ON（ONsemi，安森美）代理优势货源
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FDD86080-F085 技术参数详情：
- 型号:FDD86080-F085
- 品牌:onsemi (ON,安森美)
- 封装:TO-252（DPAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 100
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.9A（Ta），33.6A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:17.8 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 58A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.6 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:777 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta），44.1W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
- FDD86080-F085优势代理货源，国内专业的ON芯片采购服务平台。
