- 制造厂商：Nisshinbo
- 类别封装：射频和无线 > 射频开关，封装:16-QFN（3x3）
- 技术参数：ABSORPTIVE HIGH ISOLATION SPDT S
- NT1819NAAE2S现货渠道商，Nisshinbo (日清纺)代理优势货源
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NT1819NAAE2S 技术参数详情：
- 型号:NT1819NAAE2S
- 品牌:Nisshinbo Micro Devices Inc. (Nisshinbo,日清纺微电子,NJR/JRC)
- 封装:16-QFN（3x3）
- 类目:射频和无线 > 射频开关
- 描述:ABSORPTIVE HIGH ISOLATION SPDT S
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 射频类型:5G，蜂窝
- 拓扑:吸收
- 电路:SPDT
- 频率范围:200MHz ~ 7.125GHz
- 隔离:51dB
- 插损:1.2dB
- 测试频率:7.125GHz
- P1dB:-
- IIP3:-
- 特性:直流隔离
- 阻抗:50 欧姆
- 电压 - 供电:2.5V ~ 5V
- 工作温度:-40°C ~ 105°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:16-WFQFN 焊盘
- 供应商器件封装:16-QFN（3x3）
- NT1819NAAE2S优势代理货源，国内专业的Nisshinbo芯片采购服务平台。
