- 制造厂商:Nisshinbo
- 类别封装:射频和无线 > 射频开关,封装:2.8W(Ta),53.6W(Tc)
- 技术参数:IC RF SWITCH DPDT 3GHZ 12EQFN
- NJG1812ME4-TE1现货渠道商,Nisshinbo (日清纺)代理优势货源
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NJG1812ME4-TE1 技术参数详情:
- 型号:NJG1812ME4-TE1
- 品牌:Nisshinbo Micro Devices Inc. (Nisshinbo,日清纺微电子,NJR/JRC)
- 封装:2.8W(Ta),53.6W(Tc)
- 类目:射频和无线 > 射频开关
- 描述:IC RF SWITCH DPDT 3GHZ 12EQFN
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 射频类型:CDMA,GSM,LTE,UMTS
- 拓扑:-
- 电路:DPDT
- 频率范围:3GHz
- 隔离:17dB
- 插损:0.45dB
- 测试频率:2.7GHz
- P1dB:-
- IIP3:-
- 特性:直流隔离
- 阻抗:50 欧姆
- 电压 - 供电:2.4V ~ 5V
- 工作温度:-40°C ~ 105°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:12-XFQFN 焊盘
- 供应商器件封装:2.8W(Ta),53.6W(Tc)
- NJG1812ME4-TE1优势代理货源,国内专业的Nisshinbo芯片采购服务平台。