- 制造厂商：NextGen
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:-
- 技术参数：MOSFET TO-252 N 650V 7A
- TO252MDD7N65DS现货渠道商，NextGen (NextGen Components)代理优势货源
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TO252MDD7N65DS 技术参数详情：
- 型号:TO252MDD7N65DS
- 品牌:NextGen Components (NextGen)
- 封装:-
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET TO-252 N 650V 7A
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.4 欧姆 @ 3.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20.7 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:-
- 工作温度:-
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 供应商器件封装:-
- 封装/外壳:-
- TO252MDD7N65DS优势代理货源，国内专业的NextGen芯片采购服务平台。
