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- 制造厂商：Nexperia（安世半导体）
- 类别封装：FET，MOSFET - 阵列-晶体管，SOT-666
- 技术参数：MOSFET N/P-CH 20V SOT666
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PMDT290UCE 技术参数详情：
- Nexperia公司器件型号：PMDT290UCE,115
- 制造商：Nexperia（安世半导体）
- 功能总体描述：MOSFET N/P-CH 20V SOT666
- 所属类别：FET，MOSFET - 阵列-晶体管
- 系列：汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS?
- 零件状态：在售
- FET 类型：N 和 P 沟道
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压（Vdss）：20V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：800mA，550mA
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：380 毫欧 @ 500mA，4.5V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：0.95V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：0.68nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：83pF @ 10V
- 功率 - 最大值：500mW
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装
- 封装形式：SOT-563，SOT-666
- Nexperia公司标准封装：SOT-666
- PMDT290UCE的标准包装数量(SPQ)：4000 PCS
- PMDT290UCE优势代理货源，国内领先的Nexperia芯片采购服务平台。
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