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- 制造厂商：Nexperia（安世半导体）
- 类别封装：FET，MOSFET - 阵列-晶体管，8-SO
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
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PHKD3NQ10T 技术参数详情：
- Nexperia公司器件型号：PHKD3NQ10T,518
- 制造商：Nexperia（安世半导体）
- 功能总体描述：MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
- 所属类别：FET，MOSFET - 阵列-晶体管
- 系列：TrenchMOS??
- 零件状态：在售
- FET 类型：2 个 N 沟道（双）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压（Vdss）：100V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：3A
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：90 毫欧 @ 1.5A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：21nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：633pF @ 20V
- 功率 - 最大值：2W
- 工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装
- 封装形式：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- Nexperia公司标准封装：8-SO
- PHKD3NQ10T的标准包装数量(SPQ)：10000 PCS
- PHKD3NQ10T优势代理货源，国内领先的Nexperia芯片采购服务平台。
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