PDTC114ET/DG/B4,21 技术参数详情：
- 制造商产品型号：PDTC114ET/DG/B4,21
- 制造商：Nexperia（安世半导体）
- 描述：TRANS PREBIAS NPN
- 系列：晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
- 零件状态：有源
- 晶体管类型：NPN - 预偏压
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA
- 电压-集射极击穿（最大值）：50V
- 电阻器-基极(R1)：10 kOhms
- 电阻器-发射极(R2)：10 kOhms
- 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)（最小值）：30 @ 5mA，5V
- 不同Ib、Ic时Vce饱和压降（最大值）：150mV @ 500A，10mA
- 电流-集电极截止（最大值）：1A
- 频率-跃迁：230MHz
- 功率-最大值：250mW
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- PDTC114ET/DG/B4,21优势代理货源，国内专业的Nexperia芯片采购服务平台。
