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- 制造厂商：Nexperia（安世半导体）
- 类别封装：双极 (BJT) - 单，预偏置-晶体管，3-DFN1006B（0.6x1）
- 技术参数：TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN
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PDTA114EMB 技术参数详情：
- Nexperia公司器件型号：PDTA114EMB,315
- 制造商：Nexperia（安世半导体）
- 功能总体描述：TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN
- 所属类别：双极 (BJT) - 单，预偏置-晶体管
- 系列：-
- 零件状态：在售
- 晶体管类型：PNP - 预偏压
- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）：100mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
- 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）：10k
- 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）：10k
- 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：30 @ 5mA，5V
- 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：150mV @ 500μA，10mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：1μA
- 频率 - 跃迁：180MHz
- 功率 - 最大值：250mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装形式：3-XFDFN
- Nexperia公司标准封装：3-DFN1006B（0.6x1）
- PDTA114EMB的标准包装数量(SPQ)：10000 PCS
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