- 制造厂商：Nexperia
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:9-WLCSP（1.5x1.5）
- 技术参数：GANE011-080CBA/SOT8134/WLCSP9
- GANE011-080CBAZ现货渠道商，Nexperia（安世半导体）代理优势货源
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GANE011-080CBAZ 技术参数详情：
- 型号:GANE011-080CBAZ
- 品牌:Nexperia USA Inc. (Nexperia,安世半导体)
- 封装:9-WLCSP（1.5x1.5）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:GANE011-080CBA/SOT8134/WLCSP9
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:GaNFET（氮化镓）
- 漏源电压（Vdss）:80 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 800mA，5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 2.2mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.2 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:+6V，-4V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:268 pF @ 40 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:16.2W（Tc）
- 工作温度:-40°C ~ 150°C
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:9-WLCSP（1.5x1.5）
- 封装/外壳:9-WFBGA，WLCSP
- GANE011-080CBAZ优势代理货源，国内专业的Nexperia芯片采购服务平台。
