力科最近宣布推出新产品DL-ISO 1 GHz高精度示波器 (HDO) 最准确的氮化镓可以结合使用提供 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 功率半导体器件的电气特性表征。

芯片采购网专pSemi代理注整合国内外授权IC代理商现货资源，芯片库存实时查询，行业价格合理，采购方便IC芯片，国内专业芯片采购平台。

工程师们已经使用硅30多年了 (Si) 金属氧化物半导体效应晶体管 (MOSFET) 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 生产电源和功率转换系统的功率半导体器件。然而，消费者需要更小、更轻的电源和系统，而政府需要更高的效率。宽禁带 (WBG) 材料，例如GaN 和 SiC，开关速度比 Si 在降低尺寸和重量的同时，快十倍以上，提高效率。工程师在设计宽禁带半导体系统时，需要对半导体器件进行更准确、更详细的分析。

力科新型DL-ISO为设计工程师提供最可靠的高压光隔离探头 GaN 和SiC 测量功率半导体器件。新探头配合力科行业领先的12位分辨率HDO示波器具有最佳的信号保真度最低过冲和最佳精度1.5%，几乎是竞争对手的两倍。

1 GHz带宽满足测量GaN器件1 ns要求上升时间。HDO在12位分辨率下，示波器仍然提供0 GS/s采样率显示最真实的高速采样率GaN和SiC设备信号。新设计成功实施了这种最佳信号保真度、低过冲、高精度、高带宽和高采样率的组合GaN和SiC技术至关重要。

力科新功率器件软件包自动执行JEDEC进一步简化了开关损耗等测量，以颜色编码突出显示相关测量区域 GaN 和SiC 设备分析。