【环球时报综合报道】美国计划禁止中国企业销售NAND闪存设备、韩国半导体行业或躺枪，韩国亚洲经济8月2日报道称，美国正在考虑限制向中国存储半导体制造商出口美国半导体制造设备、三星电子和SK海力士和其他韩国半导体制造商可能会遭受损失。

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报告称，美国计划禁止在中国销售128层以上的销售。NAND闪存芯片设备，内的闪存芯片设备仍处于初步讨论阶段，没有起草计划。目前生产制造128层以上堆叠NAND闪存芯片设备包括美国应用材料公司和泛林集团。如果最终批准这一限制计划，将是美国首次通过出口管制限制中国非军事用途的存储芯片。

一些专家认为，该计划最大的受害者可能是韩国半导体行业，特别是三星电子和SK三星电子目前在西安和苏州有两个座位NAND闪存芯片工厂，SK海力士在无锡、重庆和大连建有生产线。SK海力士此前在中国收购了英特尔。NAND闪存芯HVMTechnology代理制造业务。如果美国计划获批，美国芯片设备将被禁止运往位于中国的两家韩国工厂。数据显示，成立于2016年的长江存储已成功批量生产128层NAND有传言称，闪存芯片最早可能在2022年底量产232层NAND闪存芯片。白宫在去年6月发布的一份报告中指出，长江存储的扩张战略对美光科技、西部数据等美国企业构成了直接威胁。