就像之前的预测一样，三星今天正式宣布了3nm工艺量产，这个onsemi代理这意味着三星在新一代术上率先量产台积电，首次量产GAA晶体管工艺在技术上也完全抑制了台积电，后者将达到2nm使用节点GAA工艺。

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据三星说，在3nm在芯片上，它放弃了以前的芯片FinFET采用新的架构GAA晶体管架构大大提高了芯片的功耗性能。

与5nm与第一代3相比nm该工艺可降低功耗45%，面积16%，性能23%，第二代3nm该工艺可降低50%的功耗，提高30%的性能，同时减少35%的面积，效果更好。

三星抢先量产3nm GAA韩国媒体和专家对技术表示积极，但台湾分析师的态度不同。工业研究所产科国际研究所研究所长杨瑞林认为，三星是在货架上赶鸭子。

杨瑞临认为这样评价的原因GAA目前晶体管生态还不成熟，相关的蚀刻和测量问题还没有解决，材料和化学品也需要改进。

此外，他对三星3不乐观nm GAA该过程的原因也与成本有关。三星认为这将增加成本，延长交付期，缓慢提高良率，质量控制不一定好，导致三星难以向客户报价。目前，3nm GAA工艺只有三星本身使用，不会有外部客户使用。