根据东芝最近的官方网站，他们的第三代 SiC MOSFET(碳化硅场效应管)计划今年 8 月下旬开始量产。

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据了解，新产品采用新的设备结构，导电阻低，与第二代产品相比，开关损耗降低了约 20%。

2020 年 8 月，东芝利用这项新技术量产了第二代 SiC MOSFET 1.2kV SiC MOSFET。这是一种将 SBD 嵌入 MOSFET 结构，将其与 PN 二极管 并联放置 ，可以提高可靠性 10 倍 。

虽然上述器HARTING代理可以显著提高零件结构的可靠性，但它有不可避免的缺点 特定导通电阻和性能指标（Ron *Q gd）会增加，从而减少 MOSFET 性能；此外，为了降低导电阻，第二代 SiC MOSFET 芯片面积必须增加 ，这也会增加成本。

因此，东芝加强了对设备的处理 完善结构，研发了第三代 SiC MOSFET。优化电流扩散层结构，减少单元尺寸。实验证明，与第二代相比， SiC MOSFET，东芝新的器件结构降低了特定的导电阻 43% ，Ron *Qgd 降低了 80% ，减少开关损耗 20%。

东芝最新公告显示，采用新设备结构技术的第三代 SiC MOSFET 将在 8 月量产 ，证实东芝正在加强布局 SiC 并进入业务 IDM 模式 的正轨。

今年 Q1.东芝宣布将利用其在半导体制造设备技术方面的优势，在内部生产功率半导体 碳化硅外延片 ；并且投资 55 亿 用于扩大功率设备的生产，包括建设 8 英寸 碳化硅和氮化镓生产线。

东芝表示，这种外延设备将 外延片 垂直集成模式的设备 ，有利于他们抢占铁路、海上风力发电、数据中心和车载市场。