最近，瑞森研发部对功率进行了测试MOSFET该技术已更新，该技术已更新MOSFET内部电场的形式可以进一步将传统的三角形电场改为压缩梯形电场，可以进一步减少EPI层的厚度降低导电阻Rds(on)。

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这全新的MOSFET技术就是SGT（Shielded Gate Trench屏蔽栅沟槽)技术。目前瑞森新一代中低压功率MOSFET这种方法已被广泛使用SGT比如最新推出的技术:RS100N60G，RS100N85G，RS100N150G等。

图1：Trench MOS和SGT MOS器件结构

MOSFET大致可分为以下几类：Trench （沟槽型）MOSFET；SGT（Shielded Gate Trench，屏蔽栅沟槽)MOSFET，主要用于中低压领域；平面型MOSFET；SJ-（超结）MOSFET，主要用于高压领域。

SGT MOSFET及其优势

SGT工艺深度比普通沟槽工艺深3-5倍。多晶硅电极，即屏蔽电极或耦合电极，电极或耦合电极。屏蔽电极与源电极相连，即实现屏蔽栅极与漂移区的作用，减少米勒电容和栅电荷，加快设备开关速度，开关损耗低。同时实现了电荷耦合效应，降低了漂移区临界电场的强度，降低了设备的导电阻，与普通沟槽MOSFET相比，SGT MOSFET内阻低2倍以上。

例如，相同的包装形状DFN5*6，采用SGT芯片技术可以获得更低的导电阻。导电损耗可降低，同时实现电荷耦合效应，降低漂移区临界电场强度。可以降低设备的导电阻，降低导电损耗。与普通槽MOSFET相比，SGT MOSFET内阻低2倍以上。

图2：Trench MOS和SGT MOS栅电荷对比

图3：Trench MOS和SGT MOS对比特征电阻

图4：Trench MOS和SGT MOS的损耗对比

MOSFET通过SGT降低寄生电容和导通电阻，从而提高芯片性能，降低芯片面积。与普通沟槽类型MOSFET芯片面积比同功耗减少40%以上。SGT独特的设备结构和掩膜布局设计提高了产品的耐久性，减少了芯片面积，其独特的工艺流程设计减少了工艺步骤和掩膜布局的数量，从而减少了MOSFET生产成本，使MOSFET产品性价比高，竞争力强。

采用SGT技术制造的MOSFET，与普通的沟Renesas代理槽型MOSFET和平面MOSFET相比之下，它在功率密度方面有很大的优势。SGT MOSFET沟槽深度较深，可利用更多晶硅体积吸收EAS能量，所以SGT雪崩可以做得更好，更能承受雪崩击穿和浪涌电流。

随着手机快速充电、电动汽车、无刷电机和移动储能的兴起，中低压MOSFET需求越来越大，中低压功率设备开始蓬勃发展。由于其巨大的市场份额，国内外许多制造商不断增加对相应新技术研发的投资。而SGT MOSFET作为中低压MOSFET广泛应用于手机快速充电、电机驱动和电源管理系统，是核心功率的关键部件。

图5：同步整流SGT MOS

瑞森中低压SGT系列产品

中低压瑞森SGT该系列产品以其先进的生产工艺、优异的性能和良好的口碑在各个领域得到了广泛的应用，为国产半导体器件的发展做出了贡献。

瑞森半导体

REASUNOS，瑞森半导体是一家致力于研发、销售、技术支持和服务的国家高新技术企业。现有的产品线包括电源管理IC、硅基功率装置、硅基静电保护装置和碳化硅基功率装置，其中，电源管理IC是国内外第一个覆盖率高的PF、低THD、产品系列具有无频闪、高效、高功率五大优点；硅基功率装置包括平面高压MOS、多层外延超结MOS、Trench低压MOS和SGT低压MOS；硅基静电保护包括瞬态抑制二极管TVS、静电防护装置ESD半导体放电管TSPD；碳化硅基功率装置包括碳化硅二极管和碳化硅MOS。经过多年的技术积累和市场发展，瑞森半导体已成为全球开关电源、绿色照明、电机驱动、数字家电、安全工程、光伏逆变器、5G长期合作伙伴能源汽车充电桩等行业的长期合作伙伴。