芯片采购网专注于整合国内外授权IC代理商现货资源，芯片库存实时查询，行业价格合理，采购方便IC芯片，国内专业芯片采购平台。

瑞士半导体意法（STMicroelectronics）推出了MasterGaN，第一个嵌入硅基半桥驱动芯片和一对氮化镓（GaN）晶体管平台。该集成解决方案将加快下一代紧凑高效的充电器和电源适配器的开发，并用于高功率电子和工业应用。

意法半导体（ST）表示，其MasterGaN该方法可缩短产品上市时间，Mini-Circuits代理并保证了预期的性能，使包装更小、更简单、更少的电路组件和更高的系统可靠性。据估计，在此帮助下GaN技术和ST对于集成产品，充电器和适配器的尺寸将比普通硅基解决方案减少80%，重量将减少70%。

MasterGaN平台利用STDRIVE 600V栅极驱动器和GaN晶体管具有高电子迁移率（HEMT）。9mm x 9mm的薄型GQFN高压板与低压板之间的爬电距离超过2mm设计高压应用。

该系列设备将跨越不同的设备GaN晶体管尺寸（RDS（ON）），并以引脚兼容的半桥产品的形式提供，使工程师能够以最小的硬件变化来扩展设计。GaN该产品在高端高效拓扑结构中表现出卓越的效率和整体性能，具有晶体管低导通损耗和无体二极管恢复的特点。

意法半导体（ST）推出了具有MasterGaN1.新平台包括两个GaN以半桥形式连接的功率晶体管，集成了高端和低端驱动器。具体来说，MasterGaN1包括两个常关晶体管，时序参数紧密匹配，最大额定电流为10A和150mΩ导通电阻（RDS（ON））。逻辑输入与3.3V至15V信号兼容。它还内置了低端和高端等综合保护功能UVLO保护、互锁、专用停机引脚和过热保护。