
GaN Systems HD贸泽开销半桥双极驱动开关评估板
(2026年2月1日更新)
引进业内知名新产品,提供超丰富的半导体和电子元件 (NPI) 经销商贸泽电子 (Mouser Electronics, Inc.) 分销从现在开始GaN Systems的GS-EVB-HB-0650603B-HD半桥双极驱动开关评估板。这种紧凑的氮化镓 (GaN) 增强模式 (e-mode) 半桥评价板性能优异,组件总数减少,电路板空间宝贵。
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贸泽电子分销GaN Systems GS-EVB-HB-0650603B-HD板具有两个HEY1011-L12C GaN FETTI代理650驱动器和两个半桥配置 V、60 A GaN晶体管的增强模式。HEY1011是一种具有快速传播延迟和高峰拉/灌能力的隔离栅极驱动器GaN FET适用于需要隔离、电平移位或接地隔离的高频应用。由于HEY1011驱动器不需要二次侧电源或自举组件,因此释放了宝贵的板空间,使设计更具成本效益。
为帮助缓解栅漏电容电流的影响,GS-EVB-HB-0650603B-HD采用双极栅驱动装置。该板可进行双脉冲试验或将半桥连接到现有。LC电源段。在硬开关条件下,可安全评估电源开关的特性。
GaN Systems GS-EVB-HB-0650603B-HD半桥双极驱动开关评估板适用于大功率无线充电器、工业逆变器、电机驱动/VFD、数据中心、住宅储能系统等电力电子应用。
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