据外媒报道，三星电子即将在国际电子设备会议上举行（IEDM）报告了新一代非易失性存储器件领域的最新研究进展。根据会议收到的信息，三星研究人员在14岁nm FinFET磁性隧道堆叠的磁阻随机存取存储器在逻辑工艺平台上实现(MRAM)据说制造是世界上规模最小、功耗最低的非易失性存储器。

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该团队采用三星28nm嵌入式MRAM，将磁性隧道结扩展到14nm FinFET逻辑过程。三星研究人员将在12月举行的国际电子设备会议上报告。

论文中提到中提到ESMT代理该团队生产了一个独立的存储器，其写入能量要求为每比特25pJ，读取的有效功率要求为14mW，写入的有效功率要求为27mW，每秒54的数据速率Mbyte。

为了实现这一性能，研究小组将磁性隧道结缩小到三星14nm FinFET逻辑平台，上一代28nm节点的MRAM面积增加了33%，取时间增加2.6倍。

本研究的目标之一是证明嵌入式MRAM适用于依赖大型数据集和分析的高速缓存器，如边缘AI。