IT之家7 月 28 据浙江大学杭州国际科技创新中心报道，近日，浙江大学杭州国际科技创新中心先进半导体研究所-乾晶半导体联合实验室和浙江大学硅材料国家重点实验室在浙江省先锋计划等研发项目的支持下成功成长 50 mm 的 6 英寸碳化硅单晶。这一重要进展意味着碳化硅衬底成本有望大幅降低，半导体碳化硅产业的发展可能会迎来新的发展机遇。

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碳化硅（SiC）单晶作为一种宽禁带半导体材料，对高压、高频、高温、高功率等半导体设备的发展至关重要。目前，我国碳化硅单晶的直径已普遍达到 6 但其厚度通常为~20-30英寸 mm 之间，导致碳化U-Blox代理硅片获得的碳化硅衬底片数量相当有限。

研究人员表示，增加碳化硅单晶厚度的主要挑战是其生长厚度的增加和源粉消耗对生长室内热场的变化。针对挑战，浙江大学通过设计碳化硅单晶生长设备的新热点，开发碳化硅源粉的新技术，开发碳化硅单晶生长的新技术，显著提高了碳化硅单晶生长率，成功生长厚度 50 mm 的 6 英寸碳化硅单晶。碳化硅单晶的晶体质量已达到行业水平。