近日，有消息称，国内存储芯片厂长江存储已将192层堆叠的3层交付给客户D NAND闪存芯片。预计2022年底或2023年初将实现332层堆叠D NAND闪存技术。

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这意味着国内存储芯片制造商终于赶上了三星和美光。你知道，美光最近发布了业内第一家 232 层堆栈的 3D NAND Flash2022年底或2023年初，芯片大规模生产和应用。

三星预计将在2022年推出超过200层D NAND闪存芯片，大规模应用到2023年。

可见，国产存储芯片在技术上确实赶上了三星、美光等顶级工厂，大家几乎处于同一水平。

仔细说，国产存储芯片从落后20年到现在只花了6年时间才赶上顶级水平。

2016年成为长江储存AllianceMemory代理总投资1600亿元，预计建设目标为总产能30万片/月，年产值将超过100亿美元，占全球市场份额的20%以上，成为世界知名NAND闪存厂商。

2016年，国内存储芯片基本空白，落后国外水平至少20年。因此，很多人对长江存储并不乐观，认为赶上三星和美光可能需要很长时间。

我从来没有想过长江的储存进展非常快，2017年中国第一个3D NAND闪存芯片，然后在2018年实现大规模生产，虽然落后于国外，但有0个突破。

后来，长江储存自主研发Xtacking结构大大提高了存储密度。2019年9月，基于自主研究Xtacking架构64层3D NAND Flash，缩小了与三星、美光的差距。

2020年4月，长江存储实现了跳跃式发展，跳过96层，直接发布了128层3层D NAND 与三星、美光的差距再次缩小。

并且基于Xtacking架构，长江128层堆叠NAND闪存芯片的存储密度达到8.48 Gb/mm，远高于三星，美光，SK海力士等一线NAND芯片大厂。

很多人可能不明白堆叠层数的意义。在存储芯片领域，堆叠层数越高，工艺越先进，存储密度越高，芯片成本越低，尺寸越小。

我们原本认为，从128层到232层的长江存储可能需要几年时间。当美光和三星进入232层时，长江存储立即赶上。

根据机构数据，2021年国内存储芯片市场份额为4%，2022年可达7%左右，2023年可达12-15%。

这意味着长江存储确实花了6年多的时间来赶上落后至少20年的存储芯片技术，市场也在快速增长，这真的太棒了。

而长江存储也向大家证明了一个事实，那就是只要认真扎实的研发，芯片技术对我们来说同样困难。