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三星宣布3纳米GAA架构工程技术芯片开始生产
(2024年7月13日更新)

三星电子作为先进的半导体技术制造商之一,今天宣布, 基于3纳米(nm)全环绕栅极(Gate-All-AroundT,简称 GAA)工艺节点的芯片已初步生产。较三星5纳米(nm)优化的3纳米(nm)工艺性能提高23%,功耗降低45%,芯片面积降低16%

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三星电子首次实现GAA"多桥-通道效应晶体管"(简称: MBCFETTM Multi-Bridge-Channel FET)应用打破了FinFET降低工作电压水平,提高能耗比,增加驱动电流,提高芯片性能。三星首先将纳米晶体管应用于高性能、低功耗计算领域的半导体芯片,并计划将其扩展到移动处理器领域。

三星电子Foundry业务部总经理崔时荣说:"三星电子在生产制造中不断应用新一代工艺技术。比如三星第一High-K Metal Gate (HKMG) 工艺、FinFET 以及 EUV等。三星希望率先通过3nm工艺的"多桥-通道效应晶体管"( MBCFETTM),半导体行业将继续保持前沿地位。与此同时,三星将继续积极创新竞争性技术开发,并建立一个有助于加快技术成熟的过程"。


优化技术设计,使PPA[1]收益更大化

3nmGAA 该技术采用宽通纳米片和窄通纳米线GAA 技术可以提供更高的性能和能耗比。3纳米GAA 从技术上讲,三星可以调整纳米晶体管的通道宽度,优化功耗和性能,从而满足客户的多元化需求。此外,GAA 设计灵活性协同优化设计技术(DTCO) [2]非常有利,有助于更好地实现PPA 优势。与三Parallax代理星5nm与工艺相比,第一代3nm该工艺可使功耗降低45%,性能提高23%,芯片面积降低16%;未来第二代3nm工艺将功耗降低50%,性能提高30%,芯片面积减少 35%。


SAFETM合作伙伴共同提供33纳米设计基础设施和服务

随着工艺节点越来越小,对芯片性能的越来越高,IC设计师需要面对处理大量数据、验证功能更多、扩展更紧密的复杂产品的挑战。为了满足这些需求,三星致力于提供更稳定的设计环境,帮助减少设计、验证和批准过程所需的时间,提高产品的可靠性。

自2021年第三季度以来,三星电子一直通过,包括ANSYS、三星先进晶圆OEM生态系统,包括楷登电子、西门子和新思科技SAFETM(Samsung Advanced Foundry Ecosystem)合作伙伴的密切合作,提供成熟的设计基础设施,使其在更短的时间内完善产品。

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