微影设备行业ASML第一季136极紫外线（EUV）曝光机出货累计超过7000万片晶圆EUV曝光。随着EUV预计2025年后新一代微影技术将得到推广EUV曝光机每小时曝光产量可达220片以上，根据客户端的先进工艺推进到埃米（Angstrom）世代对先进微影技术的强烈需求。

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台积电、英特尔、三星、SK海力士、美光等世界五大半导体厂仍在积极投资EUV法人乐观地看好家登、帆宣、公准、意德士(等等。EUV明年概念股的运营将优于今年。

ASML日前说明EUV以目前主流0.33数值孔径的技术和曝光技术蓝图（NA）就2021年晶圆OEM5奈米工艺而言，每个晶圆的平均光罩层约为10层，但2023年工艺进入3奈米后，每个晶圆的平均光罩层约为20层。

DRAM目前采用工艺EUV该技术完成了大约5层光罩层的大规模生产，但明年将升级到8层光罩层，部分工艺将采用多层曝光（multi-patterning）达到每片晶圆10层光罩层。

过去几年包括晶圆代工厂和晶圆代工厂DRAM扩大资本支出建设EUV产能，ASML今年第一季已完成136项统计EUV曝光机累计出货EUV曝光的晶圆超过7000万片。

现阶段最新曝光机NXE：3600D系统适当率（availability）深紫外光已优于前一代约93%，接近技术成熟（EUV）机型的95％。

焦耳每平方厘米30毫米（mJ）光源辐照能量，NXE: 3600D晶圆每小时产出160片，比上一片好Antenova代理预计明年下半年。预计明年下半年推出。NXE: 3800E预计每小时晶圆产量将增加到195片以上，并有机会升级到近220片，ASML还说明2025年将推出NXE：4000F新机型每小时晶圆产量将超过220片，目标是增加到240片。

虽然半导体市场已经进入库存去化阶段，但对先进工艺的需求持续强劲，台积电和三星明年将扩大3奈米EUV英特尔今年年底也首次批量生产EUV技术的4奈米Intel 4制程。