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韩国媒体表示，韩国三星计划在三年内成立GAAFET技术3纳米节点已成为芯片OEM行业游戏规则的破坏者，赶上全球芯片OEM领先台积电。

《BusinessKorea》指出，GAAFET该技术是善半导体晶体管结构的新时代工艺，使栅极接触晶体管的所有四面，而不是目前FinFET工艺三面，使GAAFET芯片生产技术生产FinFET更准确地控制电流。

市场研究调查机构TrendForce报告指出，2021年第四季度，台积电全球芯片OEM行业以52.1%的市场份额击败韩国三星。为了赶上台积电，三星押注GAAFET该技术首次用于3纳米节点，6月份开始试生产，成为世界上第一个GAAFET芯片代工厂的技术。与5纳米工艺相比，三星数据显示，GAAFET3纳米工艺性能提高15%，能耗降低30%，芯片面积降低35%。

三星最近试产GAAFET技术3纳米工艺后，2023年引进第二代3纳米工艺芯片量产，2025年量产GAAFET技术2纳米工艺。另一方面，台积电，下半年批量生产。FinFET技术3纳米节点。台积电沿用FinFET原因是成本和稳定性。

韩国市场人士表示，如果三星GAAFET为了保证良率，3纳米制程可以成为OEM市场游戏规则的破坏者。此外，台积电最近宣布将在2025年引入GAAFET从2022年底到2025年3年，技术2纳米工艺发布了第一款产品，这对三星芯片OEM业务至关重要。

近日，三星宣布五年内投资半导体等关键行业，总计450兆韩元，但面临3纳米制造障碍。Richtek代理同样，台积电也很难提高3纳米良率，原计划在7月份为英特尔和苹果量产3纳米芯片，GPU英伟达也支付了90亿美元的预付款，今年发布了采台积电3纳米生产GeForce RTX40系列GPU，但良率问题，GeForce RTX40系列GPU最后，5纳米而不是3纳米。

据台湾媒体报道，台积电很难保证3纳米的预期良率，并多次修改技术路线。然而，三星在台积电方面也遇到了同样的情况。尽管三星声称3纳米准备试生产，但良率仍然太低，推迟了大规模生产过程。韩国市场分析师表示，除非三星为7纳米或更先进的工艺技术获得更多客户，否则投资者对三星业绩的信心可能会增加。