由于 SiC 开关速度较快，因此对于某些拓扑结构，可以减少电感器等无源元件的尺寸，以降低系统尺寸和成本。光伏发电和大规模储能变得越来越重要，最终将取代所有污染能源。目前，可再生能源仅占全球总发电量的一小部分，因此 SiC 将有长远的发展道路。此外，随着电动汽车利用率的提高，充电桩将大规模部署，SiC 最终将成为电动车主驱动逆变器的首选，因为它可以降低车辆的整体尺寸和重量，提高能效，延长电池的使用寿命。

芯片采购网专注于整合国内外授权IC代理商现货资源，芯片库存实时查询，行业价格合理，采购方便IC芯片，国内专业芯片采购平台。

中国汽车首席碳化硅专家安森美OEM技术Raltron代理负责人 吴桐 博士

安森美 (onsemi) 在收购上游 SiC 供应企业 GTAT之后，产业链的垂直整合实现了，是世界上为数不多的能够从衬底到模块提供端到端的产业链之一 SiC 包括方案供应商 SiC 球生长、衬底、外延、器件制造、同类最佳集成模块及分立包装方案。安森美的 SiC 战略侧重于电动汽车、充电桩、可再生能源等领域 650 V 到 1 200 V SiCMOSFET、650 V 到 1 700 V SiC 二极管，混合 SiC 模块和全 SiC 模块。与其他制造商相比，安森美 SiC 由于使用尺寸较大，设备雪崩能量更高，损耗更小。 die，从而降低 Rdson。

随着技术的成熟和成本问题的解决，电动汽车及其车载充电器等车载电源系统 SiC 需求会越来越大。储存在储能系统中的太阳能和风能支持的电动汽车充电基础设施将由电动汽车的强劲增长驱动。基于机器学习、云计算和在线服务需求的数据中心增长将促进这些数据中心的使用 SiC 的更可靠的 UPS。安森美提供高能效和高性能 SiC 满足这些不同应用的需求。SiC MOSFET 其优点是高压器件的导电阻相对较低，开关速度相对较快。在高压小电流的情况下，导电阻相对较低，从而提高能效，特别适用于电动汽车逆变器和车载充电 (OBC)、DC-DC 和直流快速充电桩，特别是在 800 V 当功率超过系统时 150 KW 以上时，SiC 优点特别明显，提高了整车效率，可以提高电动车的里程或降低电池容量。由于电池容量的减小可以抵消 SiC 和 Si 功率元件价差导致成本上升。

SiC芯片可以在更高的温度下工作(175 ℃至200 ℃)，结温超过 175 ℃的 SiC 该方案将能够在更高的功率密度下工作，从而比硅基替代方案更具成本效益，帮助系统设计师更灵活地选择满足应用程序需求的最高成本效益方案。

氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 电子迁移率高，能带间隙高。它们制成的晶体管具有比硅基晶体管更高的击穿电压和更耐高温性，可以突破硅基装置的应用极限，开关速度快，导电阻低，损耗小，能效高。GaN 开关频率比 SiC 高得多，而 SiC 可靠性高于 GaN。SiC 常用于太阳能逆变器、电动汽车充电器、工业等高压、高功率应用 AC-DC 等应用。GaN 通常用于 650 V 蜂窝基站功率放大器、军用雷达、卫星发射器、通用射频放大等高开关频率应用。

(注:本文自转载《IC2022年7月，代理商