应用材料公司宣布推出新系统，可以改进晶体管布线的沉积过程，从而大大降低电阻，突破芯片在性能提升和功率降低方面的主要瓶颈。

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芯片制造商正在利用光刻领域的先进技术将芯片工艺缩小到3纳米及以下节点。然而，随着互连线变薄，电阻呈指数级上升，这不仅降低了芯片的性能，而且增加了功耗。如果不能解决这个问题，更先进的晶体管的好处将被指数级上升的布线电阻完全抵消。

芯片布线SiliconImage代理一般是指在介电材料上刻蚀沉积金属的沟槽和通孔的过程。在传统工艺中，用于布线沉积的金属层通常由以下部分组成：阻挡层用于防止金属和介电材料的扩散；垫层用于增强附着力；种子层用于促进金属填充；导电金属，如钨或钴用于晶体管接触，铜用于连接。由于阻挡层和衬垫层难以微缩，当槽和通孔尺寸减小时，导电材料的空间比例降低——连接越小，电阻越高。

Endura Ioniq PVD该系统是应用材料公司解决二维微缩布线电阻问题的最新突破。Ioniq该系统是一种集成材料解决方案（IMS），表面可以制备，PVD和CVD同时，该过程集中在同一个高真空系统中

应用材料公司EnduraIoniq PVD系统

Ioniq PVD system是一种集成材料解决方案（IMS），表面可以制备，PVD和CVD该过程同时集中在同一个高真空系统中。Ioniq PVD为芯片制造商提供低阻值纯钨PVD膜取代高阻值氮化钛衬垫层和阻挡层，配合后续纯钨CVD薄膜制成纯钨金属触点。该方案解决了电阻问题，使二维微缩继续作用于3纳米及以下节点。

半导体产品事业部高级副总裁兼总经理珀拉布?拉贾博士说：应用材料公司在解决电阻问题方面取得的最新突破，是材料工程创新延续二维微缩的绝佳例子。创新的Ioniq PVD该系统打破了晶体管性能提升的主要瓶颈，使其在运行速度更快的同时减少了功率损失。随着芯片复杂性的提高，在高真空中集成多个过程的能力对客户提高布线以实现其性能和功率至关重要。”

Endura Ioniq PVD该系统已被世界上许多行业的领先客户使用。如果您需要了解更多关于该系统的信息或其他用于解决关键布线和连接问题的应用材料公司的解决方案，请关注美国时间5月26日举行的芯片布线和集成新方法大师课程。