半导体制造商ROHM已建立150V耐压GaN HEMT GNE10xxTB系列（GNE1040TB）?该系列产品的闸极耐压(闸极-源极间额定电压)高达8V，非常适用于基地台、数据中心等工控设备及各种类型IoT通信装置的电源电路。

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EcoGaN首波产品 GNE10xxTB帮助基地平台和数据中心实现低功耗和小规模

一般来说，GaN该组件具有优异的低导电阻和高速开关性能，有助于降低各种功耗，实现外围组件的小型化。但其闸极耐压性很低，因此在开关工作中仍存在组件可靠性问题。针对这个话题，ROHM通过原有结构，新产品成功地将闸极-源极间额定电压从过去的6V提高到了8V。也就是说，即使在开关过程中产生了6以上V过冲电压，组件不会变质，有助于提高电源电路的设计余额和可靠性。此外，该系列产品采用通用包装，支持大电流，散热性好，使安装工程更容易操作。
新产品于2022年3月开始量产，前期制造的据点是ROHM Hamamatsu (日本滨松市)后期工程制造的据点是ROHM(日本京都市)。
ROHM它将有助于节能和小型化GaN组件产品系列命名为「EcoGaNTM」，致力于大大提高组件性能。ROHM将继续研发融合「Nano Pulse Control」控制模拟电源技术等IC以及模块，可以充分发挥GaN组件性能的电源解决方案有助于实现社会的可持续发展。
名古屋大学 工学研究所 山本真义教授表示，今年，日本经济产业省制定了2030年新建数据中心节能30%的目标，距离实现这一目标不到10年。然而，这些产品的性能不仅涉及节能，还涉及社会基础设施的坚固性和稳定性。针对未来的社会需求，ROHM研发了新的GaN组件不仅节能性更好，IR代理而且闸极耐压高达8V，能保证坚固性和稳定性。从本系列产品开始，ROHM通过融合自豪的模拟电源技术「Nano Pulse Control」，不断提高各种电源效率，相信在不久的将来会掀起巨大的技术创新浪潮，然后在2040年半导体和信息通信行业实现碳中和的目标。