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- 制造厂商：NXP（恩智浦）
- 类别封装：单端场效应管，TO-220AB
- 技术参数：MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
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PSMN4R3-30PL,127 技术参数详情：
- NXP恩智浦完整型号：PSMN4R3-30PL,127
- 制造商：NXP（恩智浦半导体）
- 描述：MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
- 系列：-
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：100A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：4.3 毫欧 @ 15A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.15V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：41.5nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2400pF @ 12V
- 功率 - 最大值：103W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商器件封装：TO-220AB
- PSMN4R3-30PL,127优势代理货源，国内领先的NXP芯片采购服务平台。
