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- 制造厂商：NXP（恩智浦）
- 类别封装：单端场效应管，6-TSOP
- 技术参数：MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP
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PMN35EN,125 技术参数详情：
- NXP恩智浦完整型号：PMN35EN,125
- 制造商：NXP（恩智浦半导体）
- 描述：MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP
- 系列：-
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：5.1A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：31 毫欧 @ 5.1A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：9.3nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：334pF @ 15V
- 功率 - 最大值：500mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SC-74，SOT-457
- 供应商器件封装：6-TSOP
- PMN35EN,125优势代理货源，国内领先的NXP芯片采购服务平台。
