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- 制造厂商：NXP（恩智浦）
- 类别封装：单端场效应管，D2PAK
- 技术参数：MOSFET N-CH 55V 19A D2PAK
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PHB21N06LT,118 技术参数详情：
- NXP恩智浦完整型号：PHB21N06LT,118
- 制造商：NXP（恩智浦半导体）
- 描述：MOSFET N-CH 55V 19A D2PAK
- 系列：TrenchMOS?
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：55V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：19A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：70 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：9.4nC @ 5V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：650pF @ 25V
- 功率 - 最大值：56W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商器件封装：D2PAK
- PHB21N06LT,118优势代理货源，国内领先的NXP芯片采购服务平台。
