
- 制造厂商:NXP(恩智浦)
 - 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:LFPAK56,Power-SO8
 - 技术参数:MOSFET N-CH 55V 24A LFPAK56
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PH3855L,115 技术参数详情:
- 制造商产品型号:PH3855L,115
 - 制造商:NXP(恩智浦半导体)
 - 描述:MOSFET N-CH 55V 24A LFPAK56
 - 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
 - 产品系列:TrenchMOS?
 - 零件状态:停产
 - FET类型:N 通道
 - 技术:MOSFET(金属氧化物)
 - 漏源电压(Vdss):55V
 - 25°C时电流-连续漏极(Id):24A(Tc)
 - 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
 - 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):36 毫欧 @ 15A,10V
 - 不同Id时Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
 - 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):11.7nC @ 5V
 - Vgs(最大值):±15V
 - 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):765pF @ 25V
 - FET功能:-
 - 功率耗散(最大值):50W(Tc)
 - 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
 - 安装类型:表面贴装型
 - 器件封装:LFPAK56,Power-SO8
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