
- 制造厂商:NXP(恩智浦)
 - 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 射频,封装:NI-1230-4S
 - 技术参数:BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSIS
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MRFE8VP8600HSR5 技术参数详情:
- 制造商产品型号:MRFE8VP8600HSR5
 - 制造商:NXP(恩智浦半导体)
 - 描述:BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSIS
 - 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 射频
 - 零件状态:有源
 - 晶体管类型:LDMOS
 - 频率:860MHz
 - 增益:21dB
 - 电压-测试:50V
 - 额定电流(安培):20μA
 - 噪声系数:-
 - 电流-测试:1.4A
 - 功率-输出:140W
 - 电压-额定:115V
 - 封装:NI-1230-4S
 - MRFE8VP8600HSR5优势代理货源,国内领先的NXP芯片采购服务平台。
 

















