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- 制造厂商：美高森美
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：14-DIP（0.300，7.62mm）
- 技术参数：MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
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JAN2N7334 技术参数详情：
- 制造商产品型号：JAN2N7334
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：Military, MIL-PRF-19500/597
- 零件状态：有源
- FET类型：4 个 N 通道
- FET功能：标准
- 漏源电压（Vdss）：100V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：1A
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：700 毫欧 @ 600mA，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：60nC @ 10V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
- 功率-最大值：1.4W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：14-DIP（0.300，7.62mm）
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