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- 制造厂商：美高森美
- 类别封装：场效应管模块，SP4
- 技术参数：MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
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APTM100H45STG 技术参数详情：
- Microsemi美高森美完整型号：APTM100H45STG
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
- 系列：-
- FET 类型：4 个 N 通道（H 桥）
- FET 功能：标准
- 漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：18A
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：540 毫欧 @ 9A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：154nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4350pF @ 25V
- 功率 - 最大值：357W
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：SP4
- 供应商器件封装：SP4
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