
- 制造厂商:美高森美
 - 类别封装:IGBT模块,SP6
 - 技术参数:IGBT PHASE TRENCH FIELD STOP SP6
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APTGT300A170G 技术参数详情:
- Microsemi美高森美完整型号:APTGT300A170G
 - 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
 - 描述:IGBT PHASE TRENCH FIELD STOP SP6
 - 系列:-
 - IGBT 类型:沟道和场截止
 - 配置:半桥
 - 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V
 - 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):400A
 - 功率 - 最大值:1660W
 - 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.4V @ 15V,300A
 - 电流 - 集电极截止(最大值):750μA
 - 不同 Vce 时的输入电容 (Cies):26.5nF @ 25V
 - 输入:标准
 - NTC 热敏电阻:无
 - 安装类型:底座安装
 - 封装/外壳:SP6
 - 供应商器件封装:SP6
 - APTGT300A170G优势代理货源,国内领先的美高森美芯片采购服务平台。
 

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