- 制造厂商：Microsemi
- 类别封装：IGBT模块，SP1
- 技术参数：IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP1
- APTGF30H60T1G现货渠道商，Microsemi（Microchip，美高森美）代理优势货源
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APTGF30H60T1G 技术参数详情：
- Microsemi美高森美完整型号：APTGF30H60T1G
- 制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
- 描述：IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP1
- 系列：-
- IGBT 类型：NPT
- 配置：全桥反相器
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：42A
- 功率 - 最大值：140W
- 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.45V @ 15V，30A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：250A
- 不同 Vce 时的输入电容 (Cies)：1.35nF @ 25V
- 输入：标准
- NTC 热敏电阻：是
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：SP1
- 供应商器件封装：SP1
- APTGF30H60T1G优势代理货源，国内专业的Microsemi芯片采购服务平台。
