- 制造厂商：Microsemi
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT，封装:-
- 技术参数：IGBT PT 1200V 113A
- APT45GP120B2DQ2G现货渠道商，Microsemi（Microchip，美高森美）代理优势货源
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APT45GP120B2DQ2G 技术参数详情：
- 型号:APT45GP120B2DQ2G
- 品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
- 封装:-
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT PT 1200V 113A
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:PT
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:113 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):170 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，45A
- 功率 - 最大值:625 W
- 开关能量:900J（导通），905J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:185 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/100ns
- 测试条件:600V，45A，5 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3 变式
- 供应商器件封装:-
- APT45GP120B2DQ2G优势代理货源，国内专业的Microsemi芯片采购服务平台。
