APT33GF120B2RDQ2G 技术参数详情：
- 型号:APT33GF120B2RDQ2G
- 品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
- 封装:-
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT NPT 1200V 64A
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:NPT
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:64 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:3V @ 15V，25A
- 功率 - 最大值:357 W
- 开关能量:1.315mJ（导通），1.515mJ（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:170 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/185ns
- 测试条件:800V，25A，4.3 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3 变式
- 供应商器件封装:-
- APT33GF120B2RDQ2G优势代理货源，国内专业的Microsemi芯片采购服务平台。
