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- 制造厂商：美高森美
- 类别封装：单路IGBT，TO-247
- 技术参数：IGBT 900V 72A 417W TO247
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APT25GP90BDQ1G 技术参数详情：
- Microsemi美高森美完整型号：APT25GP90BDQ1G
- 制造商：Microsemi（美高森美，Microchip）
- 描述：IGBT 900V 72A 417W TO247
- 系列：POWER MOS 7
- IGBT 类型：PT
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：900V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：72A
- Current - Collector Pulsed (Icm)：110A
- 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：3.9V @ 15V，25A
- 功率 - 最大值：417W
- Switching Energy：370μJ （关）
- 输入类型：标准
- Gate Charge：110nC
- 25°C 时 Td（开/关）值：13ns/55ns
- Test Condition：600V, 40A, 4.3 欧姆, 15V
- 反向恢复时间 (trr)：-
- 封装/外壳：TO-247-3
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：TO-247 [B]
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