- 制造厂商:Microchip
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-252(DPAK)
- 技术参数:MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3
- DN3765K4-G现货渠道商,Microchip(微芯科技)代理优势货源
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DN3765K4-G 技术参数详情:
- 型号:DN3765K4-G
- 品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
- 封装:TO-252(DPAK)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 沟道,耗尽型
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):300mA(Tj)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):8 欧姆 @ 150mA,0V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):-
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):825 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):2.5W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-252(DPAK)
- 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
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