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- 制造厂商：Microchip（微芯科技）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：SP3
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
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APTM100DSK35T3G 技术参数详情：
- 制造商产品型号：APTM100DSK35T3G
- 制造商：Microchip Technology（微芯科技）
- 描述：MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：2 N-通道（双）
- FET功能：标准
- 漏源电压（Vdss）：1000V（1kV）
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：22A
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：420 毫欧 @ 11A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：186nC @ 10V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5200pF @ 25V
- 功率-最大值：390W
- 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：底座安装
- 封装：SP3
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