- 制造厂商：Microchip
- 类别封装：场效应管模块，SP3
- 技术参数：MOSFET 4N-CH 800V 15A SP3
- APTC80H29T3G现货渠道商，Microchip（微芯科技）代理优势货源
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APTC80H29T3G 技术参数详情：
- Microsemi美高森美完整型号：APTC80H29T3G
- 制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
- 描述：MOSFET 4N-CH 800V 15A SP3
- 系列：-
- FET 类型：4 个 N 通道（H 桥）
- FET 功能：标准
- 漏源极电压 (Vdss)：800V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：15A
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：290 毫欧 @ 7.5A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：90nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2254pF @ 25V
- 功率 - 最大值：156W
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：SP3
- 供应商器件封装：SP3
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